sic mosfet是什麼
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SiC-MOSFET的特徵
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由於Si越是高耐壓的元件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約2～2.5倍 ... SiC-MOSFET由於如IGBT般無初始電壓，可在小電流到大電流的廣泛電流領域達成低導通損耗。
從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
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首先要清楚瞭解相關技術和術語：採用SiC架構的FET是MOSFET，就像之前的矽晶片一樣。從廣義上講，其內部物理結構相似，二者均為三端元件，具有源極、汲極和閘極連接。
何謂SiC
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另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這裡瞭解SiC-SBD、全SiC模組的應用實例。 SiC-MOSFET應用實例1：相移DC-DC轉換器. 下面是展示機，是與功率Power Assist ...
使用SiC MOSFET的好處是什麼？
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SiC MOSFET在高溫環境下具有優異的工作特性，與IGBT相比，可簡化現有散熱措施。此外，由於開關損耗非常低，系統可在比IGBT開關可支援頻率更高的頻率下運行。如能提高開關 ...
SiC
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SiC功率元件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率電晶體的比較，進一步加深 ...
SiC半導體的特徵
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SiC因為利用高速元件構造之多數載子元件(蕭特基二極體與MOSFET)可實現高耐壓，可同時實現「高耐壓」、「低導通電阻」、「高速」。 而且由於能隙約為Si的3 倍寬，可實現 ...
SiC功率模組的特徵
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使用大電流的功率模組廣泛採用Si的IGBT與FRD組合之IGBT模組。ROHM引領世界，開始販售搭載SiC-MOSFET與SiC-SBD之功率模組。 可大幅降低IGBT的尾電流與FRD ...
所謂SiC
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SiC-MOSFET元件本身（晶片）的內部閘極電阻Rg依賴於柵電極材料的薄層電阻和晶片尺寸。如果是相同設計，則與晶片尺寸成反比，晶片越小閘極電阻越高。同等 ...
第三代SiC MOSFET 提供高效能
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請注意，術語一定要分清楚：和前代的純矽產品一樣，以SiC 為基礎的FET 也是MOSFET。廣義來說，兩者內部的實體結構類似，而且都是具有源極、汲極和閘極連接 ...